首頁(yè) → 植物 → 栽培繁育 → 組織培養 ![]() |
|
半邊蓮組織培養和快速繁殖
日期:2008-12-25 來(lái)源:北方園藝 作者: 我要評論()
摘要:半邊蓮生長(cháng)繁茂,分枝多,葉密集,纖細雋關(guān),是花壇、園林鑲邊、組合盆栽和彩壇栽植的完美選擇。近幾年,隨著(zhù)半邊蓮應用價(jià)值的不斷發(fā)掘,對半邊蓮的培養和繁殖越發(fā)引起人們重視。試驗運用組織培養技術(shù),以MS為基本培養基,通過(guò)比較附加不同種類(lèi)和濃度的植物生長(cháng)調節物質(zhì)(2,4-D、NAA、6-BA)對半邊蓮莖段和葉片愈傷組織誘導和分化的影響,篩選出了適宜的培養基配方,獲得了生長(cháng)良好的愈傷組織和完整的半邊蓮再生植株,建立了一個(gè)半邊蓮快速繁殖程序。結果表明,外植體在MS+0.5 mg/L 2,4-D上可誘導愈傷組織;在培養基MS+0.3 mg/L6-BA上可以誘導愈傷組織分化出腋芽;在培養基MS+0.7 mg/L NAA上可誘導無(wú)根系植株短期內產(chǎn)生大量根系,形成完整植株。移栽后成活率可達85%。 關(guān)鍵詞:半邊蓮;組織培養;愈傷組織
半邊蓮(Lobelia chinensis)又稱(chēng)為細米草、瓜仁草、急解索,是桔?瓢脒吷弻俣嗄晟荼净ɑ,因其植株低矮,分枝多,葉密集,纖細雋美,是花壇、園林鑲邊、組合盆栽和彩壇栽植的完美選擇。喜濕,稍耐蔭,也適用于較陰濕處作觀(guān)賞草坪。半邊蓮盛花期時(shí),成千上萬(wàn)的小花簇擁在枝頭,繁茂的花簇把整個(gè)植株包裹得嚴嚴實(shí)實(shí),十分漂亮。
目前,對半邊蓮組織培養的研究?jì)H見(jiàn)于王連平、劉強等對半邊蓮(Lobelia Chinensis Lour)離體莖段再生進(jìn)行了研究。此外,日本學(xué)者Ishimara等(1992)對與半邊蓮同科的植物L(fēng)obelia inflata進(jìn)行了組培發(fā)根的研究。隨著(zhù)半邊蓮應用價(jià)值的逐漸發(fā)掘,人們越來(lái)越重視半邊蓮的繁殖以及栽培品種的不斷更新。目前國內花卉市場(chǎng)上只有半邊蓮的種子和播種穴盤(pán)苗供應,國外一些專(zhuān)利無(wú)性扦插繁殖的品種在國內很難見(jiàn)到,常規育種方法繁育半邊蓮已經(jīng)不能滿(mǎn)足人們日益增長(cháng)的需求。因而用植物組織培養技術(shù)研究半邊蓮的離體快速繁殖,品種更新和大規模工廠(chǎng)化生產(chǎn),盡快滿(mǎn)足人們日益增長(cháng)的需求就顯出其優(yōu)越性了。
1材料與方法
1.1材料
試驗材料來(lái)源于東北林業(yè)大學(xué)花卉研究所溫室內種植的半邊蓮。
1.2試驗方法
先用自來(lái)水沖洗選取的植物材料,然后用洗衣粉水浸泡和沖洗15 min左右。再在超凈工作臺用0.1%升汞(HgCl2)消毒7 min。處理后用無(wú)菌水沖洗3~4次。經(jīng)過(guò)表面滅菌的材料用無(wú)菌濾紙將水吸掉。再用解剖刀切取莖尖下的莖段及葉片,通常幾毫米大小,切去莖段兩端因消毒而壞死的切口,莖段保留長(cháng)度為4~6 mm;將葉片邊緣剪切,然后,將材料用槍式鑷子接種到不同培養基上進(jìn)行培養。培養溫度為(25±1)℃,光照時(shí)間為16 h,光照強度為2 000~3 500 lx。
2結果與分析
2.1愈傷組織的誘導
在以莖段為外植體時(shí),莖段在培養8~12 d后,莖段兩端產(chǎn)生愈傷組織,翠綠色,少數為白色,直徑0.3~0.5 cm。培養10~15 d后,培養基中莖段兩端切口處少數愈傷組織白色,呈球體狀,直徑0.8~1.3 cm。以MS 2培養基的莖段愈傷組織最明顯、最大,尤其是2,4-D濃度為0.5 mg/L(表1)。此外,從表1可看出,隨著(zhù)2,4-D濃度的增加,莖段的出愈率先增加,在2,4-D濃度為0.5 mg/L時(shí)達到最大,然后,隨著(zhù)2,4-D濃度的增加而降低。愈傷組織的生長(cháng)情況在2,4-D濃度為0.5 mg/L時(shí)最好。
在誘導葉片愈傷組織培養基中,培養7~12 d后,葉片變?yōu)榈疑,水漬狀,無(wú)明顯愈傷組織產(chǎn)生。培養14~18 d后葉片周邊膨脹,有淋巴狀愈傷組織產(chǎn)生,顆粒狀,淺綠色,直徑0.1~0.4 cm。培養16~23 d后葉片愈傷組織呈顆粒狀,直徑0.5~1.0 cm。同樣,隨著(zhù)2,4-D濃度的增加,葉片的出愈率先增加,在2,4-D)濃度為0.5 mg/L時(shí)葉片的出愈率達到最大(表2),然后,隨著(zhù)2,4-D濃度的增加而降低。
表1 不同濃度2,4-D對莖段愈傷組織誘導和生長(cháng)的影響
注:生長(cháng)一般++,生長(cháng)較好+++,生長(cháng)最好++++。下表同。
表2 不同濃度2,4-D對葉片愈傷組織誘導和生長(cháng)的影響
2.2不定芽的形成
試驗愈傷組織再分化形成再生植株的方式為先產(chǎn)生芽,后在莖的基部長(cháng)根。培養過(guò)程中發(fā)現,在MS 3培養基上的外植體愈傷組織分化最明顯。接種于培養基中的莖段愈傷組織在18~25 d后,開(kāi)始產(chǎn)生不定芽,芽體長(cháng)度為1.5~2.6 cm,分化率隨6-BA濃度的增加先增加后減少(表3)。此外,從表3中可看出莖段愈傷組織的分化以6-BA 0.3 mg/L培養基產(chǎn)生的不定芽最多,生長(cháng)最快。每個(gè)莖段產(chǎn)生不定芽6~12個(gè)。
接種于MS 3培養基中的葉片愈傷組織27~32 d開(kāi)始產(chǎn)生不定芽,與莖段產(chǎn)生的不定芽相似,葉片愈傷組織產(chǎn)生的不定芽也為白色,芽體長(cháng)度為0.8~2.5 cm,分化率隨6-BA濃度的增加先增加后減少,每個(gè)葉片產(chǎn)生不定芽4~7個(gè)(表4)。同樣,葉片愈傷組織的分化以6-BA 0.3 mg/L培養基產(chǎn)生的不定芽最多,生長(cháng)最快。
表3 不同 6-BA濃度對莖段不定芽體誘導和生長(cháng)的影響(25 d)
表4 不同 6-BA濃度對葉片不定芽體誘導和生長(cháng)的影響(35 d)
2.3不定芽生根誘導
接種莖段在MS 0和MS 1培養基上培養30~35 d后就可形成完整植株,高度5~10 cm。葉片在MS 0和 MS 1培養基上培養37~42 d后就可形成完整植株,高為4~7 cm。培養30~43 d后在MS2和MS3培養基接種的莖段形成元根系不完整植株,高度6~9 cm。培養40~48 d后在MS 2和MS 3培養基接種的葉片形成無(wú)根系不完整植株,高度5~8 cm。
培養基中無(wú)根系的不完整植株如不繼代到生根培養基中生根培養,將無(wú)法繼續生長(cháng)。因此將MS 2和MS3中無(wú)根系的不完整植株繼代到MS 4中進(jìn)行生根培養。在培養38~47 d后,莖段無(wú)根系不完整植株開(kāi)始生根,根系細長(cháng),白色,并且隨著(zhù)NAA濃度的增加,根系生長(cháng)逐漸增多,根長(cháng)逐漸增長(cháng),以NAA 0.7 mg/L根系生長(cháng)最多、最長(cháng),長(cháng)度為3~4.5 cm(表5)。
在培養46~57 d后,葉片的不完整植株開(kāi)始生根,白色,纖細,長(cháng)度為2~3.6 cm,并與接種莖段的不定芽生根狀況相似,接種葉片不定芽產(chǎn)生的根系隨著(zhù)NAA濃度的增加逐漸增多,根長(cháng)逐漸增長(cháng),以N從0.7 mg/L根系生長(cháng)最多、最長(cháng),長(cháng)度為2.5~4.0 cm(表6)。
表5 不同NAA濃度對接種莖段生根的影響(55 d)
表6 不同NAA濃度對接種葉片生根的影響(45 d)
2.4練苗馴化及移栽
半邊蓮試管苗是在無(wú)菌、有營(yíng)養供給、適宜光照和溫度、近90%的相對濕度環(huán)境條件下生長(cháng)的,因此,在生理、形態(tài)等方面都與自然條件生長(cháng)的半邊蓮很大差異。所以必須通過(guò)練苗,使它們逐漸地適應外界環(huán)境,從而在生理、形態(tài)、組織上發(fā)生相應變化,使之更適于自然環(huán)境,這樣才能保證試管苗順利移栽成功。
試驗在半邊蓮試管苗根長(cháng)為3~5 cm時(shí),去掉三角瓶的透氣膜,光照強度減為1 000 lx左右,進(jìn)行練苗。經(jīng)過(guò)10 d練苗后,用自來(lái)水洗掉小苗根部殘余培養基洗凈,分別移栽到盛有腐殖土的花盆中,保證空氣濕度在80%以上,放置于蔭涼處3~5 d,移栽到苗圃中,成活率為85%。 (王廣軍 中共黑龍江省委黨校 張彥妮 東北林業(yè)大學(xué)園林學(xué)院)
中國風(fēng)景園林網(wǎng)獨家稿件聲明:該作品(文字、圖片、圖表、音頻、視頻)特供中國風(fēng)景園林網(wǎng)使用,未經(jīng)授權,任何媒體和個(gè)人不得全部或部分轉載。 熱點(diǎn)推薦
企業(yè)服務(wù)
|
|
|
|
COPY RIGHT RESERVED 2007 - 2008 中國風(fēng)景園林網(wǎng) WWW.obspoint.com
|
|